中低压MOSFET

封装
极性
最大耗散功率PD(W)
漏极-源极电压VDS(V)
最大漏极漏电流ID(A)
漏极-源极开启电阻RDS(on)(mΩ)(@10v)
漏极-源极开启电阻RDS(on)(mΩ)(@4.5v)
漏极-源极开启电阻RDS(on)(mΩ)(@2.5v)
重置
封装型号 规格书 极性 最大耗散功率PD(W) 漏极-源极电压VDS(V) 最大漏极漏电流ID(A) 阈值电压VTH(V) 漏极-源极开启电阻RDS(on)(mΩ)(@10v) 漏极-源极开启电阻RDS(on)(mΩ)(@4.5v) 漏极-源极开启电阻RDS(on)(mΩ)(@2.5v) 防静电能力